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薄膜電容器的特性及選用


薄膜電容器的特性及選用
由于陶瓷電容器在容量較大時(shí)(10000PF以上2類瓷-E、F特性),其穩(wěn)定性和損耗都變差,在高性能要求的電路上只能選用薄膜電容器,下面將聚酯膜和聚丙烯膜電容器的特性做一對(duì)比說明:
1.聚酯膜電容器的特性:
1)體積小,容量大,其中尤以金屬化聚酯膜電容的體積更小。
2)使用溫度范圍較寬:-55OC~+100OC。(聚丙烯電容為:-40~+85 OC)
3)   正溫度系數(shù)電容
4)   損耗tanδ隨頻率升高而增加較大, 因此不宜用于高頻電路。
2.聚丙烯薄膜電容器的特點(diǎn):
1)   高頻損耗極低tanδ≤0.1%,(聚酯電容tanδ≤1.0 %)。且在很寬的頻率范圍內(nèi)損耗變化很小,適合高頻電路使用。(100KHz以內(nèi))
2)   較小的負(fù)溫度系數(shù);
3)   絕緣電阻極高(IR≥106 MΩ);
4)   介電強(qiáng)度高,適合做成高壓薄膜電容器。
綜上所述,聚丙烯電容是一種性能優(yōu)良的非常接近理想電容器的電容,因此,價(jià)格也較貴。
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